新能源汽车与电网领域为两大核心应用场景，碳化硅器件可提升电能转换效率并降低能耗，预计在新能源车电驱系统、光伏逆变器中率先实现规模化替代。
碳化硅晶圆制造技术聚焦于降低缺陷密度（如微管缺陷≤1 cm⁻²），并提升8英寸晶圆良率至80%以上。
氮化硅基板导热率（≥80 W/m·K）与抗弯强度（≥800 MPa）显著优于传统氧化铝基板，适配碳化硅功率器件的高温、高频工作环境。
山西平鲁项目计划配套建设碳化硅粉体合成产线，采用改良Lely法提升粉体纯度至6N级（99.9999%）。
山东氮化硅基板项目联合高校研发反应烧结工艺，缩短烧结周期至48小时以内，降低生产成本约30%。
山西：依托平鲁经济技术开发区，打造“碳化硅衬底-外延-器件”垂直整合基地，规划产能覆盖50万片/年6英寸碳化硅晶圆。
山东：以氮化硅基板为核心，形成“陶瓷粉体-基板-功率模块”全链条布局，服务省内新能源汽车与光伏企业需求。
黑龙江：牡丹江碳化硅项目重点开发导电型衬底材料，匹配电动汽车充电桩与储能系统的高压需求。
第三代半导体被纳入“十四五”新材料专项规划，目标2025年碳化硅器件国产化率提升至50%以上，氮化硅基板自给率超70%。
新能源汽车领域：碳化硅电驱系统可提升续航里程10%-15%，带动车规级碳化硅模块需求年均增长60%。
工业领域：氮化硅基板在风电变流器、轨道交通牵引系统中渗透率快速提升，预计2025年全球市场规模突破80亿元。
以上信息综合技术进展、产业链协同及政策导向，呈现第三代半导体项目在材料、设备与终端应用中的核心布局
